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为了实现上述目的，根据本发明，提供一种平面研磨装置，具有旋转自如地配置的上定盘及下定盘、和用于保持工件的游星轮，通过上述上定盘和下定盘来夹持该游星轮上所保持的工件并对该工件的两面进行研磨，上述平面研磨装置的特征在 2021年10月30日 本实用新型提供了一种用于碳化硅材料平面加工治具，通过装夹底座配合定位挡块对产品进行初步定位，再通过装夹底座上的调节组件对放置于其上的产品进行平面度调节， 一种用于碳化硅材料平面加工治具的制作方法 - X技术网
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2020年7月20日 碳化硅粉体的制备方法有多种，按初始原料的物质状态大致可分为固相法、液相法和气相法三种方法，具体如下： 1、固相法. 固相法是利用两种或两种以上的固相物质，经 2022年9月13日 安森美的第1代碳化硅MOSFET技术（M1）采用平面设计，耐压等级为1200V。之后从中衍生出900V和750V耐压的规格，微观结构也改为Hex Cell设计，这两个改动相叠加 平面型 OR 沟槽型？碳化硅（SiC）MOSFET的未来发展方向 ...
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2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 SiC 晶体是无色的，是碳化硅在 2700 摄氏度升华时形成的。2025年2月6日 1.一种修正轮，其特征在于，包括两个修正层、缓冲压缩垫以及固定板，所述两个修正层均通过所述缓冲压缩垫与所述固定板的上下两面连接，所述修正层呈圆环状，且修正层 一种修正轮的制作方法 - X技术网
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2024年11月5日 碳化硅从材料到半导体功率器件会经历单晶生长、晶锭切片、外延生长、晶圆设计、制造、封装等工艺流程。 在合成碳化硅粉后，先制作碳化硅晶锭，然后经过切片、打磨 2023年4月29日 一种碳化硅v-notch槽磨削加工用砂轮架结构技术领域.本实用新型属于磨削加工装置，具体涉及一种碳化硅v-notch槽磨削加工用砂轮架结构。背景技术.磨削是碳化硅晶锭加工的工序之一，如图所示，碳化硅晶锭在外圆磨圆 一种碳化硅V-Notch槽磨削加工用砂轮架结构的制作
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2021年1月30日 [0005] 为了达到本实用新型之目的，采用如下技术方案：一种碳化硅半导体切片机，包括：基座，所述基座上设有一支撑台，所述支撑台设有主动轮以及多个从动滚轮，所述 2024年8月14日 本发明属于功率半导体器件，具体是一种抑制开关振荡的碳化硅mosfet器件及制作方法。背景技术、碳化硅(sic)mosfet是目前市场上应用最为广泛的碳化硅功率器件，同相同 抑制开关振荡的沟槽型碳化硅MOSFET器件及制作方法
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2023年5月21日 本发明公开了一种碳化硅嵌入式电极平面型光导开关及其制作方法，主要解决现有技术中平面型光导开关在相同电极间距下耐压小的问题。该光导开关自下而上为半绝缘碳化 本发明属于微电子领域，尤其涉及一种电极平面型光导开关，可用于高速大功率脉冲系统中的开关。技术背景1974年由贝尔实验室的D.H.Auston制备了第一个光导开关，材料采用高阻Si，但Si 碳化硅嵌入式电极平面型光导开关及其制作方法 - X技术网
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2024年10月25日 包括:所述4H SiC衬底层的上表面沉积所述N型SiC外延层,所述N型SiC外延层表面上的一侧沉积P型SiC外延层;所述P型SiC外延层包括:SiO 一种碳化硅平面栅功率MOSFET 2010年6月16日 权利要求1所述碳化硅高速结合剂砂轮的制造工艺为(1) 原材料配料、混料工序将磨料、结合剂、粘结剂、湿润剂按配方给出的重量份数比100 : 16 28 : 2 4 : 2 5准确称量，然 碳化硅高速结合剂砂轮的制作方法 - X技术网
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2025年1月29日 本申请涉及碳化硅生产，具体公开了一种碳化硅生产废料破碎装置。背景技术、在碳化硅生产的过程中，电阻炉高温烧结时会批量地产生烧结成块且纯度不达标的生产废料， 2021年3月19日 本发明涉及碳化硅合成技术领域，尤其涉及一种超高真空碳化硅原料合成炉系统。背景技术目前，碳化硅半导体是一种化合物半导体，具有宽带隙、高热导率、高临界击穿电 超高真空碳化硅原料合成炉系统的制作方法 - X技术网
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2022年9月7日 1.本发明属于宽禁带碳化硅半导体晶圆工艺技术领域，具体涉及一种碳化硅晶圆背面减薄的制作方法。背景技术： 2.碳化硅功率器件为降低体电阻在导通电阻的占比，通常对器件的正面晶圆工艺制作完成后，需要使用专用的研 2023年8月4日 2.根据权利要求1所述的一种碳化硅静电吸盘，其特征在于，所述碳化硅底座（3）顶部和每个引出电极（4）顶部的平面度达到0.005mm、粗糙度ra0.3μm。3.一种碳化硅 一种碳化硅静电吸盘及制作方法与流程 - X技术网
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2022年11月12日 集成sbd的碳化硅平面mosfet及其制造方法 技术领域 1.本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种集成sbd的碳化硅平面mosfet及其制造方法。 背景技术： 2.近些年很多新的集成sbd的碳化硅平面mosfet结构被提出， 2023年9月13日 一种激光隐切制备taiko碳化硅晶圆的方法技术领域.本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种激光隐切制备taiko碳化硅晶圆的方法。背景技术.电力电子器件也称为功率器件，主要运用在处理高电压和大电流的电能转换类应 一种激光隐切制备Taiko碳化硅晶圆的方法与流程 - X
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2023年3月22日 1.本实用新型涉及打磨装置技术领域，特别涉及铝碳化硅板双面打磨装置。背景技术： 2.铝碳化硅是铝和碳化硅复合而成的金属基热管理复合材料，是电子元器件专用封装材料，主要是指将铝与高体积分数的碳化硅复合成为 本实用新型属于铝碳化硅基板生产技术领域，具体涉及到一种铝碳化硅镶嵌式基板的制备方法。背景技术随着大功率时代的到来，对电子元器件的稳定性要求越来越高。目前市场多用的铝碳化 一种铝碳化硅镶嵌式基板的制作方法 - X技术网
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2020年2月25日 本发明涉及功率电子器件封装技术领域，特别是一种碳化硅功率模块的封装结构和制作方法。背景技术电力电子技术的发展总是朝着更高的效率，更高的功率密度以及更高的集成度发展。如今，宽禁带功率半导体功率器件 2018年7月24日 本实用新型属于密封环加工技术领域，具体涉及一种碳化硅机械密封环密封面研磨工装。背景技术碳化硅机械密封环在机械密封技术领域是其重要的元件，其作用是通过动静 一种碳化硅机械密封环密封面研磨工装的制作方法
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2024年11月19日 本技术涉及一种碳化硅陶瓷制品承烧托架，属于陶瓷生产。背景技术、碳化硅陶瓷具有优良的常温力学性能，如高的抗弯强度、优良的抗氧化性、良好的耐腐蚀性、高的抗磨 2022年8月31日 1.本发明涉及杂质处理技术领域，具体为一种基于碳化硅微粉的杂质处理工艺。背景技术： 2.碳化硅，是一种无机物，化学式为sic，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生 一种基于碳化硅微粉的杂质处理工艺的制作方法 - X技术网
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2024年12月25日 图1.M3e性能延长了碳化硅平面MOSFET的 寿命 沟槽技术供应商正在努力寻找既能提高管芯（unit cell）密度，又能保持高可靠性的设计。沟槽技术的基本问题之一（如上 2021年7月16日 1.本实用新型涉及碳化硅晶体制造技术领域，尤其涉及一种碳化硅晶体平面打磨标记卡片。背景技术： 2.现有碳化硅晶体在磨平圆柱体上下端面时，需要在端面保留晶体的部 一种碳化硅晶体平面打磨标记卡片的制作方法 - X技术网
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2024年12月26日 图1.M3e性能延长了碳化硅平面MOSFET的 寿命 沟槽技术供应商正在努力寻找既能提高管芯（unit cell）密度，又能保持高可靠性的设计。 沟槽技术的基本问题之一（如上 2020年2月4日 本发明涉及一种研磨用的砂布轮，尤指一种平面砂布轮。背景技术平面砂布轮为一种研磨加工流程中会使用到的元件，其结构上的特征在于将砂布裁切成多个长方型的小块状后，沿一圆环彼此头尾相叠环绕而成，而圆环中间的 平面砂布轮的制作方法 - X技术网
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2022年7月13日 1.本技术涉及工件磨削加工技术领域，尤其是涉及一种碳化硅工件的磨孔工装。背景技术： 2.碳化硅是一种无机物，其本身的化学性能较为稳定，且具有导热系数高、热膨胀 2024年7月19日 一种碳化硅喷火嘴套管的制作方法 引言 喷火嘴是一种常见的工业设备，广泛应用于燃烧器、锅炉、发电机等领域。碳 化硅是一种热稳定性极高的陶瓷材料，因其具有高温强 一种碳化硅喷火嘴套管的制作方法 - 豆丁网
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2019年4月23日 本发明涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种碳化硅晶圆的减薄方法。背景技术碳化硅功率器件凭借自身优异性能，适用于高温、高压和高辐射等极端工作环境。但是在大功率、极端环境工作时碳化硅器件仍然会产生较大的热 2024年8月16日 本发明涉及一种平面型碳化硅二极管及其制作方法，平面型碳化硅二极管包括：衬底，以及位于所述衬底上的碳化硅外延层、P区、第三阻挡层、沟槽、阴极金属层和阳极 一种平面型碳化硅二极管及其制造方法 - X技术网
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2020年4月7日 本实用新型涉及一种线切割机床，尤其是一种换丝周期长的线切割机床，具体地说是一种大尺寸碳化硅晶片金刚石线切割机床。背景技术碳化硅是一种多晶型化合物。在摄氏560度的高温下，碳化硅晶片没有冷却装置的情况下 2014年5月7日 一种陶瓷碳化硼砂轮的制作方法 【专利摘要】本发明涉及砂轮制造【技术领域】，具体涉及一种陶瓷碳化硼砂轮及其生产工艺，该砂轮由以下重量份的原料制成：绿碳化硅磨 一种陶瓷碳化硼砂轮的制作方法 - X技术网
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2024年1月6日 10.一种如权利要求1‑9任一项所述碳化硅MOSFET器件的制作方法 ，其特征在于，包括：提供外延片，所述外延片包括碳化外延层，所述碳化外延层具有相对的第一表面和第
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