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碳热还原合成碳化硅

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碳热还原合成碳化硅

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碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟 - 道客巴巴

2017年5月23日  国内外科学家一直致力于优化碳化硅冶炼合成的方法,Mcc01lIl [5】设计出一种新式fl-SiC合成设备,该装置中下部的SiO和Si在高温下形成Si02气体,上升同碳粉层反应生 2020年7月3日  摘要: 探究了不同碳源对以硅微粉为原料通过碳热还原法制备碳化硅粉体的影响,采用FactSage软件对制备SiC的反应过程进行了热力学计算,得出理论反应起始温度;探究了 不同碳源对硅微粉制备碳化硅的影响

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纳米碳化硅的制备与应用研究进展 - hanspub

2023年9月20日  用HRTEM 透射电镜和FT-IR 红外光谱对碳热还原法制备的纳米碳化硅进行表征。 结果表明,在820~880 cm −1 处有强吸收峰,证明为β-SiC 的伸缩振动,其次材料具有晶体结 2024年2月11日  本研究提出了一种通过碳热还原工艺从镍铁渣酸浸渣中制备碳化硅(SiC)的创新工艺。 结果表明,酸浸渣无定形二氧化硅含量高达84.20%,粒径细小,d50 = 29.16 μm,是 无定形二氧化硅制备碳化硅粉体及其合成机理研究,Minerals ...

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碳热还原法低温制备碳化硅微粉

2012年2月15日  摘要: 以SiO2为硅源,炭黑为碳源,Fe2 O3为催化剂,采用碳热还原法在氩气保护下制备SiC微粉,研究催化剂含量,合成温度对SiC生成、形貌的影响.实验结果表明:在原料中添 为揭示碳化硅合成过程中能量及物质扩散机理,从而为碳化硅的提质增产奠定理论基础,采用数值模拟的方法对碳化硅合成过程中的温度场,压力场,气体流动规律进行模拟研究.结果表明,随着合成 碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟 - 百度学术

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Fe催化硅藻土碳热还原反应制备3C-SiC及其机理

2017年9月11日  本文以酚醛树脂和硅藻土为原料、以硝酸铁为催化剂前驱体、通过催化碳热还原反应的方法制备SiC粉体,研究反应温度、催化剂用量和反应时间等因素对合成SiC粉体的影响以及使用纳米Fe催化SiO 2 生成SiC的机理。 1.1 2014年6月25日  采用微波辅助碳热还原法的最优 条件为:锌粉作催化剂,碳硅原子比为4∶1,微波 功率为800W,微波时间为30min. 该方法制备的碳 化硅为 3C-SiC 晶型,晶粒粒径相对较 微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体 - 豆丁网

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双热源合成碳化硅过程的 三维数值模拟及窑炉结构优化设计

2023年3月15日  对碳热还原合成碳化硅过程中双热源合成 炉内能量及物质传递过程进行模拟研究。 将模拟结果与工业试验数据进行对比验证,从而验证了模拟的可靠性,揭示了碳化2023年3月15日  碳热还原合成碳化硅过程中炉内伴随着复杂传 热传质过程,在实际模拟过程中需要适当进行一些 简化假设:①只考虑碳化硅的生成和分解反应具体 考虑的反应方程如表1 所 双热源合成碳化硅过程的 三维数值模拟及窑炉结构优化设计

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碳热还原制备SiC纳米线机理的理论与实验研究 - X-MOL科学 ...

2024年1月15日  在常压、无金属催化剂的情况下,通过碳热还原二氧化硅和炭黑,在 1550 °C 下制备了高质量的 SiC 纳米线(NW)。分别在石墨坩埚和氮化硼坩埚中合成线性和链珠状 SiC 2024年2月11日  本研究提出了一种通过碳热还原工艺从镍铁渣酸浸渣中制备碳化硅(SiC)的创新工艺。结果表明,酸浸渣无定形二氧化硅含量高达84.20%,粒径细小,d50 = 29.16 μm,是 无定形二氧化硅制备碳化硅粉体及其合成机理研究,Minerals ...

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碳化硅的制备方法

2020年7月20日  碳化硅粉体制备工艺有多种,各种合成方法中碳热还原 法所需的原料价格较低、生产的产品质量合格率较高、可以大批量的生产,在碳化硅的制备领域占据着重要地位。碳化 我们已与文献出版商建立了直接购买合作。 你可以通过身份认证进行实名认证,认证成功后本次下载的费用将由您所在的图书馆支付 您可以直接购买此文献,1~5即可下载全文,部分资源 碳热还原法合成碳化硅晶须的研究 - 百度学术

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碳化硅(SIC)单晶生长用高纯碳化硅(SIC)粉体的

2023年10月27日  该实验研究了碳热还原温度以及原料的摩尔比 n( C) /n( SiO2 ) 对 SiC 粉体 ... 马康夫等采用 C 粉、Si 粉直接反应合成碳化硅粉体,特别地,在合成过程中通入 H2辅助高纯 SiC 粉体的合成,并将合成的粉体与未通 H2合成 摘要: 本课题针对海南省高品位石英砂的纯度高储量大的自然地理优势,使用石英砂为原料,采用放电等离子辅助和微波辅助碳热还原反应制备了碳化硅粉体,对制备工艺,物相演变,微观结构,粒度 外场辅助碳热还原合成碳化硅粉体及其可烧结性研究 - 百度学术

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碳化硅耐火材料的研究进展 - ChemicalBook

2022年8月22日  碳化硅耐火材料的研究目前集中于两个方面,一方面是碳化硅原料的制备,另一方面是碳化硅耐火材料的制备和性能优化。 在碳化硅材料的制备方面,碳热还原法是目前比较常用的方式,碳热还原法是在一定温度下,一种以 摘要: 基于碳热还原法制备碳化硅的原理,针对该方法合成成本高,反应时间长,所用设备昂贵,合成条件苛刻等缺陷.利用微波的良好加热性能,采用微波辅助碳热还原法制取碳化硅粉体.经实验表明, 微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体 - 百度学术

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碳纳米管/碳化硅原位催化制备、机理及其在MgO-C耐火材料中 ...

(4)以硅藻土代替Si粉,以酚醛树脂为碳源,采用Fe、Co及Ni纳米颗粒催化碳热还原反应制备碳化硅粉体的最佳工艺条件为:以1.0wt%的Fe为催化剂,1673K反应3h,所合成β-SiC粉体的粒径 利用液态硅为原料,以碳和二氧化硅粉末组成的混合物作为催化剂,通过液态硅与一氧化碳之间的气-液相碳热反应,一步合成了高纯度的碳化硅微细粉体,制得的碳化硅粉体的平均颗粒尺寸 一步法合成高纯度碳化硅粉体的研究 - 钛学术文献服务平台

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微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体 - 豆丁网

2014年6月25日  第4期何晓燕等:微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体63 微波辅助碳热还原法制备碳化硅粉体 何晓燕,王兴磊,张艺,吕春友,欧阳艳 * (伊犁师范学院化学与生物科学学 摘要: 以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500℃、1550℃、1600℃制备了SiC晶须。通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研究了合成温度对SiC 合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌的影响 - 百度学术

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高纯碳化硅制品合成配方及生产方法

2024年8月31日  石墨反应体提供碳源的方式,硅粉加热升华为硅蒸汽进而与石墨反应体充分反应合成碳化硅 ... 46、一种高温埋碳碳热还原制备高纯β型-碳化硅 微纳粉体的方法 47、一种高纯 2016年1月18日  16材料导报008年月第卷第期碳化硅微粉的低温合成与制备”王福,曹文斌,孙加林,何荣亮北京科技大学材料科学与工程学院无机非金属材料系,北京100083摘要以硅溶 碳化硅微粉的低温合成与制备 - 道客巴巴

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高纯碳化硅粉体合成方法及合成工艺展望_化学

2020年8月21日  采用固相法合成的碳化硅粉体较为经济,原料来源广泛且价格较低,易于工业化生产,然而用此种方法合成的碳化硅粉体杂质含量高,质量较低;高温自蔓延方法是利用高温 2008年6月23日  接下来的过程就和溶胶-凝胶法制备碳化硅纳米线的过程相同,即将混合物放入高温炉中,在氩气保护下升温到1500℃左右发生碳热还原反应。 由于固相反应一般很难进行彻 科学网—溶胶-凝胶和碳热还原制备小米碳化硅 - 郭向云的博文

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碳化硅的制备及应用最新研究进展 Recent Research

2022年5月20日  碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能,被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶– 2012年5月11日  第39卷第2期人工晶体学报Vo.l39No.22010年4月JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSApri,l2010合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌 合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌的影响 - 豆丁网

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一种高温埋碳碳热还原制备高纯β型-碳化硅微纳粉体的方法

2021年5月11日  溶胶-凝胶碳热还原法合成的β型-碳化硅 微纳粉体纯度高,但该法制备的粉体氧含量高,且成本高;激光法、等离子法等两种工艺合成的粉末为纳米及亚微米粉末,设备要求 进而得出以下结论: (1)用溶胶凝胶和碳热还原法,制备了不同形貌的纳米碳化硅颗粒和碳化硅纳米线。实验过程中探讨了反应时间、反应温度、表面活性剂、金属催化剂及酸等因素对碳化硅结 纳米碳化硅材料的制备及应用-学位-万方数据知识服务平台

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原料粒度对合成碳化硅的影响研究 - cip

2020年7月20日  摘要: 以轮胎半焦为碳源,石英砂为硅源,在1520℃下通过碳热还原法制备了碳化硅。采用XRD、SEM和红外光谱仪等对不同原料粒度条件下制备的碳化硅进行了表征,探究了原料粒度对合成碳化硅物相、形貌、粒度和反应 碳化硅的合成方法主要是碳热还原法:碳热还原法合成SiC的主要原料是SiO2和C总反应方程式如下:SiO2(s)+3C(s)→SiC(s)+2CO(g)。Guterl等[4]认为反应分两步进行先是固态SiO2和固态C 碳化硅 - 百度文库

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催化剂、温度和保护气体对微硅粉合成碳化硅晶须的影响

2019年10月24日  以工业废弃物微硅粉为硅源,石墨为碳源,硼酸为催化剂,采用碳热还原法制备碳化硅晶须.通过XRD及SEM对合成产物的物相及形貌进行分析,探讨了碳源、合成温度、催化剂加 2023年10月30日  碳化硅粉体的制备方法较多,有最古老的阿奇逊合成法(Acheson),也有近十几年发展起来的激光法和有机前驱体法,以下介绍的是典型的Acheson碳化硅合成方法。碳化硅陶瓷 该方法是采用碳热还原过程将SiO2 碳化硅陶瓷的合成方法 - 知乎

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合成温度对碳热还原法合成碳化硅晶须形貌的影响-期刊-万方 ...

2010年6月21日  摘要: 以SiO2微粉为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法分别在1500 ℃、1550 ℃、1600 ℃制备了SiC晶须.通过扫描电镜,电子探针和透射电镜等分析手段,研 2015年11月27日  内容提示: 第 33 卷 第 3 期 2014 年 3 月 硅 酸 盐 通 报 BU L L E T IN 0 F T H E CH INE S E CE RA M IC S OCIE T Y V 01.3 3 No.3 M arch ,20 14 催化 剂对 以硅溶胶 催化剂对以硅溶胶为硅源合成碳化硅晶须的影响-论文 - 道客巴巴

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原位合成莫来石碳化硅系复合材料

2002年11月30日  摘要: 以铝硅系天然矿物蜡石和天然石墨为原料,通过碳热还原法原位合成了莫来石碳化硅系复合材料并对合成复合材料的韧性、抗压强度和抗渣侵蚀性能进行了测定研究 2016年3月16日  目前工业生产中普遍采用的碳化硅粉体合成方法是碳热还原法。随着胶体化学、大功率激光器和热等离子体技术的不断发展,出现了很多新的制备工艺,如溶胶一凝胶法、激 碳化硅粉体合成技术研究进展 - 豆丁网

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