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2012年4月27日 本文采用轮碾机、振捣整形机、罐磨机和砂磨机对各粒径碳化硅粉体颗粒 进行整形，通过显微镜观察颗粒整形前后的表观形貌和测量整形前后的振实密 度，确定各整形方法的效果和适合整形的碳化硅粉体粒径，并建立料饼厚度、 整形时间、进料粒径、转速等和 ...2023年1月6日 氧化腐蚀结合球磨工艺原理是先对磨料颗粒的不规则地方进行氧化处理，例如使碳化硅颗粒的棱角部位完全被氧化，生成二氧化硅，再采用球磨法对碳化硅进行整形研磨处理， 碳化硅、金刚石等磨料微粉通常如何进行颗粒整形？ - 技术 ...
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【摘 要】采用机械球磨法对不规则形状碳化硅粉体进行了整形研究.分析了三种不同粒径碳化硅粉体在不同球磨时间下,碳化硅粉体的形貌、圆度、粒径大小及分布的变化,并进一步对比分析了 2020-11-13 [导读] 围绕碳化硅微粉的整形，2020年10月28日，在由中国粉体网主办的“第三届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”召开期间，我们邀请到专注碳化硅微粉近二十年之久的潍坊凯华 碳化硅粉料整形的目的
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2022年11月2日 球磨法主要探究球磨时间、球料质量比、转速等球磨参数对碳化硅粉体粒径大小、球形度，堆积密度等的影响。通常碳化硅脆性比较大，球磨中只会发生裂碎而不会产生塑性 2014年8月15日 本文采用轮碾机、振捣整形机、罐磨机和砂磨机对各粒径碳化硅粉体颗粒 进行整形，通过显微镜观察颗粒整形前后的表观形貌和测量整形前后的振实密 度，确定各整形方法 碳化硅粉体的整形及其挤出成型 - 豆丁网
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2018年4月8日 碳化硅粉料整形的目的靠单台鄂式破碎机设备完成以往多台甚至多条水泥生产线才能完成的生产量，更进一步缩小了成本，缩小了占地面积，缩小了能耗。2023年6月4日 挤出成型的过程主要包括原料准备、混合、制胚和挤出四个步骤。其中，制胚是最关键的步骤，由于碳化硅粉末的质地较硬，挤出压力较大，因此制胚必须具有足够的可塑性。 碳化硅粉体的整形及其挤出成型的综述报告 - 豆丁网
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2020年11月13日 通过什么方法或设备检测碳化硅微粉整形的效果？辛总告诉记者，目前碳化硅微粉整形效果的检测方法主要有三种。一种是图像仪。通过对一定数量的微粉图像检测，比较，进而分析微粉的圆形度。另一种是电镜扫描。2024年10月11日 1、本发明的目的是针对传统方法合成碳化硅粉料时每次合成的碳化硅粉料较少的现有问题，提供了一种新的制备工艺，以及该工艺中所采用的坩埚设备。一种用于合成碳化硅粉料的坩埚及长晶用碳化硅粉料的制备 ...
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2023年10月26日 随着科学技术的飞速发展，半导体材料的革新速度也进一步加快。继以 Si 为代表的第一代半导体和以GaAs 为代表的第二代半导体之后，以 SiC 为代表的第三代宽禁带半导体越来越受到人们的关注。SiC 具有宽带隙( 2． 3 碳化硅多孔支撑体的制备及性能研究_ 春鹏-《海南大学》-2013-被引量:2[####]本文以制备高强度和低过滤压降的碳化硅多孔陶瓷支撑体为研究目标。首先对碳化硅粉料进行球磨整形,从而有效提高其在支撑体坯体成型过程中的流动性。其次基于K2O碳化硅粉料整形的目的-厂家/价格-采石场设备网
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碳化硅粉的球磨整形研究-[12]马丽莉，铁生年，汪长安.碳化硅粉体湿法研磨中机械力化学效应研究[J] .稀有金属材料与工程，2013，44(S1)：393-396.1.1 原材料碳化硅粉来自山东金蒙新材料股份有限公司，产品纯度≥98.5%，选用了三种粒度的SiC粉来进行机械球 ...碳化硅的合成： 选择石油焦、无烟煤、木炭等碳原料和石英砂、硅石等硅原料，通过高温烧结得到碳化硅。 碳化硅的具体生产工艺包括 加工和粉碎： 合成后的碳化硅通常呈块状。 必须使用破碎机将其破碎成不超过 5 毫米的颗粒。然后，使用成型机将其成型为不超过 2 毫米的颗粒，其中椭圆形 碳化硅微粉的生产和应用 - Yafeite
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2024年2月28日 中国粉体网讯 近年来，制备高纯SiC粉料逐渐成为SiC单晶生长领域的研究热点。生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0.001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响单晶生长的质量以及电学性能。碳化硅单晶生长工艺路线中，物理气相传输法（PVT）是目前主流的产业化方式 ...2022年9月21日 通过对碳化硅粉料合成结构的改良，并开发相应的粉料合成工艺，克服了自蔓延法在合成碳化硅粉料时的弊端，使该方合成的粉料在纯度、颗粒度以及投产比方面更具有优势，并基于自蔓延法的成本低的优势，实现了在碳化硅粉料合成方面的产业化生产。碳化硅粉 - 知乎
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2020年11月13日 围绕碳化硅微粉的整形，2020年10月28日，在由中国粉体网主办的“第三届新型陶瓷技术与产业高峰论坛”召开期间，我们邀请到专注碳化硅微粉近二十年之久的潍坊凯华碳化硅微粉有限公司的辛国栋总经理做客“对话”栏目，进行视频访谈。2016年3月23日 一种高纯碳化硅粉料制备的方法-发明内容本发明针对现有技术合成碳化硅粉料存在的不足,提供了一种能够实现超高纯度SiC粉料且工序简单的高纯碳化硅粉料制备方法。本发明是通过以下技术方案解决以上技术问题的: ...一种高纯碳化硅粉料制备的方法_百度文库
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2020年11月30日 中国粉体网讯 碳化硅以其优异的物理化学性能在很多领域都有着广泛的应用前景，作为第三代半导体材料，碳化硅单晶是制作高频、大功率电子器件的理想材料。针对用于单晶生长的高纯碳化硅粉料的合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的 ...2023年9月16日 高纯度碳化硅粉末的应用前景 引言 碳化硅（SiC）是一种 无机非金属材料，具有优异的机械性能、热导率、热稳定性、耐磨性和化学稳定性。近年来，随着科技的发展，高纯度碳化硅粉末的应用领域越来越广泛，尤其在半导体、陶瓷和 耐火材料 等领域。最火的粉体之一--碳化硅粉 - 知乎
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2020年8月21日 气相法合成的碳化硅粉体纯度较高，颗粒尺寸小，是目前合成高纯碳化硅粉体常见的方法，然而这种合成方法成本高且产量较低，不适合批量化的生产。 2.碳化硅粉体合成设备 碳化硅粉体合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉体，高质量的碳化硅粉体在2022年2月9日 技术实现要素： [0004] 本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，本发明的目的之一是提供一种碳化硅粉料的合成方法，用于解决现有技术中碳化硅粉料在合成的过程中会吸附大量的n2 ，原料中氮元素随着温度梯度而生长 一种碳化硅粉料的合成方法与流程 - X技术网
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2021年10月9日 .本发明涉及碳化硅合成领域，特别涉及到一种碳化硅粉料的合成方法。背景技术.碳化硅(sic)作为第三代半导体技术的代表，具有宽禁带、高导热率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等性质，被广泛应用于制造电力电子、射频器件、光电子器件等领域。而碳化硅单晶的质量制约着后续器件的性能 ...2020年12月1日 由于碳化硅粉料中的氮含量直接影响晶体生长中氮含量的控制工艺，在粉料合成前对其所吸附的氮做一定的补充或者驱赶，是一种有效的尝试。 在产业应用性方面，本发明提供的一种用于碳化硅粉料合成的一种混料方法，其工艺简单，适合规模生产，混料的粉体纯度、均匀性及效率较高，满足粉料 ...用于高纯碳化硅粉料的一种预制料处理方法与流程
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5 天之前 本发明涉及碳化硅生产，具体为一种高纯碳化硅粉料的制备方法。背景技术、碳化硅，是一种无机物，化学式为sic。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。随着第三代半导体受时代影响应运而生，尤其是碳化硅 ...2020年11月30日 中国粉体网讯 碳化硅以其优异的物理化学性能在很多领域都有着广泛的应用前景，作为第三代半导体材料，碳化硅单晶是制作高频、大功率电子器件的理想材料。针对用于单晶生长的高纯碳化硅粉料的合成方法与合成工艺的研究现状，中国电子科技集团公司第二研究所的研究人员曾进行了专门的 ...碳化硅单晶生长的关键原材料：高纯SiC粉料的合成方法及工艺 ...
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2019年9月6日 本发明涉及晶体生长领域，特别是涉及一种降低碳化硅粉体中氮杂质含量的方法。背景技术作为第三代半导体材料，碳化硅(SiC)单晶具有禁带宽度大，抗辐射能力强，击穿电场高，介电常数小，热导率高，电子饱和漂移速度高，化学稳定性高等独特的特性，可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件 ...2018年12月7日 的合成方法 ( 57 )摘要 本发明 提供 了一 种碳化 硅晶 体生 长 用大粒 径碳化硅（SiC）粉料的合成方法。采用高纯碳粉 和高纯硅粉为原料并混合均匀，将混合均匀后的 粉末原料分为数份置于坩埚中 ，每份粉末原料之 间用石墨片隔开，将坩埚放入加热炉中 ，抽真空 到炉内部压力小于10-3Pa后 ，充入 ...一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅粉料的合成方法 [发明专利]
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2014年8月15日 进行整形，通过显微镜观察颗粒整形前后的表观形貌和测量整形前后的振实密 度，确定各整形方法的效果和适合整形的碳化硅粉体粒径，并建立料饼厚度、整形时间、进料粒径、转速等和振实密度的关系等，确定最佳整形工艺。对比2015年2月4日 碳化硅粉体的整形及其挤出成型,挤出成型,塑料挤出成型,挤出成型机,挤出成型工艺,挤出成型原理,pom挤出成型工艺,挤出成型模具 ... 目前为满足工程上的应用，除了对陶瓷粉料进行粉碎和分级，也根据不同 使用目的对粉体颗粒形貌提出不同 ...碳化硅粉体的整形及其挤出成型 - 豆丁网
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2024年1月10日 高纯SiC粉料合成方法 目前，用于生长单晶的高纯SiC粉料的合成方法主要有：CVD法和改进的自蔓延 合成法 （又称为高温合成法或燃烧法）。 其中CVD法合成SiC粉体的Si源一般包括硅烷和 四氯化硅 等，C源一般选用四氯 2021年12月2日 I一种碳化硅粉料的合成方法与流程1.本创造涉及碳化硅合成领域，特殊涉及到一种碳化硅粉料的合成方法。背景技术：2.碳化硅(sic)作为第三代半导体技术的代表，具有宽禁带、高导热率、高电子饱和迁移速率、高击穿电场等性质，被广泛应用于制造电力电子、射频器件、光电子器件等领域。一种碳化硅粉料的合成方法与流程 - 豆丁网
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2023年5月19日 天科合达发明了一种低氮含量碳化硅粉料的制备方法及碳化硅单晶，制备方法包括以下步骤：将高纯硅粉、高纯石墨粉与易挥发高纯有机物混合，在惰性气氛下待易挥发高纯有机物挥发至初始质量的10％以下，将混合物料烧结，得到低氮含量碳化硅粉料。温度对碳化硅粉料合成的影响-采用高温合成方法生成了高纯碳化硅(SiC)粉。采用高纯碳(C)粉和硅(Si) 粉直接反应,不需外加添加剂,通过控制外部加热使Si和C持续反应。实验结果表明,在相同反应时间条件下,不同加热温度对生成的SiC粉料的粒度和纯度有很大 ...温度对碳化硅粉料合成的影响_百度文库
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2015年5月24日 利用 ! 傅利叶变换红外光谱仪分析氧化前后粉料表面状态的变化；利用化学分析的方法测氧化后的碳化硅微粉的氧含量；利用美国" # $ %公司生产的 ’!(电位仪，测—)—周龙捷等：氧含量对碳化硅粉料的等电点和分散性的影响男， )年2024年11月27日 绍兴晶彩科技有限公司作为国内首家可以生产粒度从亚微米级到毫米范围半导体级碳化硅粉料的企业。主营 第三代半导体碳化硅单晶专用的多晶粉体、高纯碳粉、高纯石墨件、高纯石墨毡; 半导体制程所需的高精密特种碳化硅陶瓷件专用超高纯粉体;5G 领域专用的热管理材料导 绍兴晶彩科技有限公司-高纯碳化硅粉体、半导体材料制造商
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2019年11月16日 本发明涉及碳化硅检验技术领域，尤其涉及一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法。背景技术作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料，被广泛应用于电力电子、射频器件、光电子器件等领域。特别是半绝缘碳化硅衬底，其在微波器件领域有着广泛的用途，所述“半绝缘”指的是室温下电阻率大于105ω ...2022年5月21日 1.本发明属于碳化硅技术领域，具体涉及一种低成本可量产的高纯碳化硅粉料的制备装置和制备方法 背景技术： 2.制备高质量碳化硅单晶需要杂质含量低、粒径均匀的碳化硅料源，尤其是在制备高纯半绝缘碳化硅或者掺杂半绝缘碳化硅时，对低杂质含量的要求非常高。一种低成本可量产的高纯碳化硅粉料的制备装置和制备方法 ...
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2019年3月8日 本发明属于碳化硅晶体生长结束后处理领域，具体涉及一种碳化硅晶体高温退火处理方法。背景技术碳化硅单晶生长一般是在高温下进行的，晶体生长结束后，晶体内部存在较大的残余应力。这些应力的存在，很容易导致晶体在加工中出现开裂现象，从而造成整根晶体的报废。因此碳化硅晶体加工前 ...
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