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走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2024年9月12日 2024年6月18日，士兰微电子在厦门市海沧区正式启动了国内首条8英寸碳化硅（SiC）功率器件芯片制造生产线项目，项目名称为：“士兰集宏”，总投资高达120亿人民币。2023年12月6日 碳化硅是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。 碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。 2023年全球及中国碳化硅（SiC）行业现状及发展趋
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2024年2月17日 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。 一、SiC 单晶生长设备. SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于需要解 2023年10月20日 5月12日，浙江大学科创中心-乾晶半导体联合实验室已成功研制出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭，并加工获得了8英寸碳化硅衬底片。值得一提的是，该SiC单晶突 盘点国内碳化硅产业进展，与海外企业究竟差距多少？ - seccw
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2024年5月9日 2024年以来，SiC产业延续了2023年的火热态势，企业围绕技术研发、签单合作、投融资、IPO、产能建设等方面忙得不亦乐乎，各大厂商频频有利好消息传出。 在投资扩产大旗下，2024年以来已有超30个项目披露了新进 2024年11月5日 为了较全面地理清全球碳化硅功率半导体产业的发展状况、关键技术的最新进展、国内外各环节企业的区域分布，以及碳化硅在各类终端市场的应用进展等方面的情况， 37家企业参与！SiC白皮书12月发布-第三代半导体风向
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2024年12月12日 碳化硅（SiC）功率器件凭借耐高温、耐高压、高功率密度和高频性能，成为第三代半导体的重要代表。碳化硅二极管与MOSFET广泛应用于电力电子、新能源汽车和清洁能 2024年11月28日 尽管与国际大厂相比，国内SiC的市场份额占比还比较小，但中国SiC器件设计与制造技术发展快速，产能持续扩张。 预计到2026年，中国SiC产能、衬底产能将达460万 “冰火两重天”，五大变化梳理全球SiC产业-国际电子商情
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2022年5月20日 常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶– 凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。 本文对SiC粉体的制备、碳化硅陶瓷烧结技术和应用进 2023年2月15日 碳化硅衬底制备作为难度最大、技术含量最高、价值占比最重的环节，是整个产业链的“压舱石”。 本报告共分九章，从基础概念、分类应用、产业政策、产业技术路线、应用市场规模、行业重点企业、产业发展趋势等多方面 中国碳化硅衬底产业发展研究报告（2023～2026 ...
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2023年5月6日 CASICON 2023长沙站：聚焦碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术进展产业 ... （北京）科技有限公司应用工程师雷浩东等嘉宾带来精彩报告，深入探讨碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术的研究进展 。天津工业大学电 摘要：本文主要介绍了碳化硅泡沫陶瓷国内外研究现状。分别从碳化硅泡沫陶瓷的粉料、碳化硅粉的制备、碳化硅泡沫陶瓷的配料、成型工艺、烧成制度及国内外碳化硅泡沫陶瓷性能等各个方面对其进行介绍，并展望了碳化硅泡沫陶瓷的发展方向。碳化硅泡沫陶瓷现状与研究进展(学报)_百度文库
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2024年11月30日 碳化硅具有强度大、硬度高、弹性模量大、耐磨性好、导热性强和耐腐蚀性好等优异性能，被广泛地应用于磨料磨具、陶瓷、冶金、半导体、耐火材料等领域。常用的制备碳化硅粉体方法有碳热还原法、机械粉碎法、溶胶–凝胶法、化学气相沉积法和等离子体气相合成法等等。2022年8月31日 国内外的碳化硅项目布局与建设力度加大！ 盘点近期（8月）碳化硅板块行业动态进展 原创 DT半导体材料 ... 、器件设计、器件制造工艺、封装工艺开发等主要方向，重点突破SiC材料与器件关键共性技术及先进制造工艺，联合上下游建立虚拟IDM模式。SiC板块订单爆发！国内外的碳化硅项目布局与建设力度加大 ...
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2023年4月25日 国内外碳化硅装备发展状况 SiC产业环节及关键装备-SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节，SiC单晶衬底环节通常涉及到高纯碳化硅粉体制备、单晶生长、晶体切割研磨和抛光等工序过程，完成向下游的衬底供货。2022年4月24日 本文基于对碳化硅材料烧结行为、显微结构以及力学性能的认识，综述了碳化硅烧结工艺的发展及烧结助剂的选择标准，同时分析和介绍了碳化硅陶瓷材料在传统工业与现代科技领域的应用现状。 关键词：碳化硅陶瓷；烧结技术；烧结助剂；碳化硅应用 0 引 言国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展 CERADIR 先进陶瓷在线
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2023年1月20日 综述在详细调研归纳国内外近年来SiC陶瓷材料增材制造技术研究进展的基础上，重点对现有研究动态进行分类与分析。 作者归纳了目前SiC陶瓷材料的增材制造技术主要有间接增材制造技术与直接增材制造技术两类 ...2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关...碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
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碳化硅陶瓷材料具有良好的耐磨性、导热性、抗氧化性及优异的高温力学性能,被广泛应用于能源环保、化工机械、半导体、国防军工等领域.然而,由于碳化硅为强共价键化合物,且具有低的扩散系数,导致其在制备过程中的主要问题之一是烧结致密化困难.因此,大量研究工作通过烧结技术的研究与 2024年2月22日 本文基于对碳化硅材料烧结行为、显微结构以及力学性能的认识，综述了碳化硅烧结工艺的发展及烧结助剂的选择标准，同时分析和介绍了碳化硅陶瓷材料在传统工业与现代科技领域的应用现状。关键词：碳化硅陶瓷；烧结技术；烧结助剂；碳化硅应用 1 引 言国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展
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2022年5月20日 碳化硅的制备及应用最新研究进展 王嘉琳 1 ，刘世凯 1* ，黄 2 威 2 ，徐天兵，宋志键 1 ，陈颖鑫 1 ，孙亚光 1 河南工业大学材料科学与工程学院 ...2020年5月19日 在低中压领域碳化硅外延已经相对比较成熟，未来方向主要就是低成本化。 【分享主题】碳化硅主题报告（五）碳化硅外延技术进展及机遇 【分享时间】4月16日（周四）15：00-16：00 【分享嘉宾】钮应喜 芜湖启迪半导体有限公司技术总监、高级工程师 ...直播回顾 【图文实录】碳化硅外延技术进展及机遇
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2024年5月10日 2024年以来，SiC产业延续了2023年的火热态势，企业围绕技术研发、签单合作、投融资、IPO、产能建设等方面忙得不亦乐乎，各大厂商频频有利好消息传出。在投资扩产大旗下，2024年以来已有超30个项目披露了新进 2023年6月25日 重结晶碳化硅的制备工艺及应用进展 。 首页 资讯 粉体展 人才 资料 会展 杂志 百科 粉体圈子 搜粉网 微门户 微信 ... 重结晶碳化硅陶瓷窑具的特性及生产技术[J]. 陶瓷,1998,(05):37-38. [3]李亚格,劳新斌,江伟辉,刘健敏. 铝粉添加量对自结合碳化硅材料 ...【原创】 重结晶碳化硅的制备及应用研究进展 - 中国粉体网
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2021年9月2日 ....word.zl.国内外碳化硅合成研究进展学院：材料与化工学院专业：化学工程与工艺学号：050XX：宋新乐时间：2021年10月5日....word.zl.国内外碳化硅的合成研究进展化学工程与工艺宋新乐050一、摘要近年来，随着各项科技的开展，尤其是航海，航空，导弹等高2024年8月28日 与传统制备技术相比,仍存在较大的差距。本文分析了增材制造成型方法的工艺特性,归纳了增材制造SiC陶瓷性能优化方法,详细阐述了基于增 材制造技术制备SiC陶瓷反射镜的技术路径,并展望了SiC陶瓷反射镜增材制造制备技术的未来发展方向。1 SiC陶瓷材料SiC 陶瓷反射镜的研究进展 - Researching
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2018年4月4日 第一章 国内外硅及碳化硅单晶材料研究与发展分析第一节 半导体材料发展历程分析一、第一代半导体材料二、第二代半导体材料三、第三代宽禁带半导体材料四、半导体材料发展趋势第二节 硅单晶材料基础研究分析一、硅单晶材料特性及应用二、硅单晶的主要技术参数三、硅单晶制备工艺及加工 ...2023年2月23日 浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院副院长皮孝东 教授 分享了”4H碳化硅单晶的制备和加工技术进展“，报告指出，4H-SiC适用于更高频、更高功率电子器件，碳化硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 仍然处于研发阶段。 超快激光垂直改质剥离技术，剥离过程中发生裂片成为超快激光切片面临的 ...赛道火热！直击碳化硅衬底材料生长与加工及外延技术前沿进展
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2015年9月7日 中国电子科技集团公司55所1IC-CHINA2010CETC第五十五研究所李宇柱2010年10月23日中国电子科技集团公司55所2一、碳化硅的市场二、国外技术进展三、我国发展状况四、发展建议中国电子科技集团公司55所3碳化硅相比于硅的优势与硅相比，碳化硅（4H2023年2月15日 第三章 碳化硅衬底产业技术 第一节 碳化硅衬底生产工艺流程 第二节 碳化硅粉料 合成 1.气相法制备高纯SiC粉体 ... 不用尺寸的碳化硅衬底市场及8英寸衬底进展 1.不同尺寸的碳化硅衬底市场发展趋势 2.国外8英寸碳化硅衬底市场进展 3.国内8英寸 ...中国碳化硅衬底产业发展研究报告（2023～2026 ...
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2022年11月29日 本文对国内外SiC单晶的切割、研磨、抛光工艺的研究进展 进行简单描述。1 切割 在SiC单晶的加工过程中，切割加工是第一道工序，占有很重要的地位，切割晶片的弯曲度Bow、翘曲度Warp、总厚度变化TTV决定了后续 2024年2月1日 SiC二极管技术进展 基于SiC材料的性能优势,如禁带宽度、击穿场强和热系数,因此SiC二极管具有更高的击穿电压、低损耗、散热更好等优势。 尤其是耐压方面,性能最高的硅二极管是 肖特基势垒二极管 (SBD),具有低正向损耗 半导体碳化硅（SiC）功率器件技术进展及趋势分析
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2024年11月5日 为了较全面地理清全球碳化硅功率半导体产业的发展状况、关键技术的最新进展、国内外各环节企业的区域分布，以及碳化硅在各类终端市场的应用进展等方面的情况，从2021年以来，行家说联合众多碳化硅产业领军企业，共同编写了《2021第三代半导体产业调研2022年8月11日 化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 韩跃斌1,2,蒲 勇1,2,施建新1,2 (1.材料科学姑苏实验室,苏州 215000;2.芯三代半导体科技(苏州)有限公司,苏州 215021) 摘要:碳化硅(SiC)是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料,近20年来随着外延设备和工艺化学气相沉积法碳化硅外延设备技术进展 - Researching
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2022年2月8日 本书为“中国芯片制造系列”的第二本，是一本系统地阐述碳化硅半导体材料生长和加工工艺的专著，填补了国内该领域书籍对于近期碳化硅制造工艺新技术及进展介绍的空白。本书较为全面地阐述了不同晶型的碳化硅从长晶、...2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙盛大召开。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。顺利开幕-2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术论坛
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2022年1月1日 善现有的较为成熟的烧结工艺，并发展新工艺生产具备更高性能的碳化硅 ，如闪烧 ... 碳化硅陶瓷材料烧结技术的研究与应用进展 [J]. 陶瓷学报, 2020 ...2024年3月29日 一、半导体设备 碳化硅（SiC）零部件行业的相关基本概念 （一）半导体设备零部件行业的基本概况 半导体行业遵循“一代技术、一代工艺、一代设备”的产业规律，半导体设备 的升级迭代很大程度上有赖于其 零部件 的技术突破。精密零部件不仅是半导体设备制造环节中难度较大、技术含量较高的 ...半导体设备碳化硅（SiC）零部件行业研究报告 - 电子工程 ...
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2023年7月14日 高温离子注入机方面，国外主要厂商包括爱发科、应用材料和NISSIN等，目前国内企业烁科中科信的离子注入机在碳化硅领域实现了批量应用，设备 ...2023年8月7日 强铝合金的研究出发，概述了碳化硅增强铝基复合材料的国内外研究现状，从制备技术和增强机制等方 面，分析了该材料发展过程中存在的一些问题以及相应的改进措施，并且指出了该材料今后发展的方向。 关键词 铝基复合材料，碳化硅，制备技术，增强机制碳化硅增强铝基复合材料研究进展 - hanspub
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