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2024年10月22日 1）碳化硅切割设备：国内首个高线速碳化硅金刚线切片机GCSCDW6500能切出和砂浆切割一样的晶片质量，切割效率大大提高，生产成本明显降低，在行业里独家实现批 2024年2月17日 从SiC衬底、外延、芯片到模块,涉及单晶、切磨抛、外延、离子注入、热处理等关键装备,随着整体市场的蓬勃发展,设备需求迎来了机遇期。 一、SiC 单晶生长设备SiC PVT生长设备是国产化较高的设备,其难点在于需要解决S半导体碳化硅(SiC) 关键设备和材料技术进展的详解；
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2023年5月21日 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国log-itech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式，极大的增加了工艺 2023年4月26日 1）碳化硅切割设备方面：国内首款高线速碳化硅金刚线切片机 GCSCDW6500可获得和砂浆切割相同的晶片质量，同时大幅提升切割效率， 显著降低生产 ...碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设
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2024年12月6日 碳化硅晶圆的生产涉及多个环节，并且需要使用一系列关键设备，主要包括以下几类： （1）粉料合成设备. SiC半导体产业的基础是高纯原材料的获取，其中包括高纯SiC粉 2020年10月21日 碳化硅材料整线关键工艺设备共22种，下面就介绍一下我国碳化硅的发展现状，和碳化硅晶体生长及加工的关键设备。 碳化硅半导体产业发展现状首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？
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3 天之前 天科合达专注于碳化硅晶体生长和晶片加工的技术研发，建立了拥有自主知识产权的“PVT 碳化硅单晶生长炉制造技术”、“高纯度碳化硅生长原料合成技术”、“PVT 碳化硅晶体生长技术”、“低翘曲度碳化硅晶体切割技术”、 “碳化硅晶 2023年4月25日 3）第三代 宽禁带半导体材料 ：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等。 近 10 年逐渐兴起，具备大带隙、大载流子漂移速率、大热导率和大击穿电场 四大特性，全面突破材 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速 ...
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2024年10月16日 本文将用一篇文章给大家梳理清楚碳化硅晶片的加工工艺流程。 一、原料合成. 碳化硅晶片的制备，始于高纯硅粉和高纯碳粉的精准配比。 这两种原料，如同构建高楼大厦 2024年5月6日 南京大学研发的大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，在新材料领域特别是第三代半导体材料加工设备方面取得了显著突破。 该技术不仅解决了传统多线切割技术带来的高损耗 南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术
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2023年12月10日 其中晶盛机电6寸单片式碳化硅外延设备（型号为150A，产能350-400片）已实现国产替代，23年6月公司又成功研发8英寸单片式碳化硅外延生长设备。 （4）市场规模： 东吴证券测算，2025年全球切片设备新增市场空间约130亿元，其中国内约57亿元。3 天之前 2023 年连城数控液相法碳化硅长晶炉顺利下线。新设全资子公司连科半导体与清华大学合作，发展半导体相关业务，规划建设半导体大硅片长晶和加工设备、碳化硅长晶和加工设备的研发和生产制造基地。2024年5月上线“新一代8 国内碳化硅（SiC）长晶炉供应商10强 - 艾邦半导体网
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碳化硅晶片的加工需要高温、高度专业化的设备和先进的材料，这可能会导致制造成本的增加。 此外 晶体尺寸越大，晶体生长和加工技术的难度就越大，而下游设备的制造效率和单位成本就越高。3 天之前 在 未来的研究中，需要优化大尺寸衬底磨抛加工中的 工艺参数和磨抛工具；开发新型超精密磨抛技术；研 发自动化、智能化的加工设备；实现碳化硅衬底加工 的磨抛一体化. 来源：湖南大学学报（自然科学版） 作者：罗求发 1，3†，陈杰铭 1，程志豪 1，陆静碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网
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2023年5月2日 但是，碳化硅晶体具有高硬度，高脆性，耐磨性好，化学稳定性好等特点，这又使得碳化硅晶片的加工变得非常困难。碳化硅衬底的加工主要分为以下几个工序，切割，粗磨，精磨，粗抛，精抛（CMP）。1.切割 切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的2024年8月19日 公司拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8 英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施 ... 韩媒报道指出，韩国半导体材料公司NanoCMS已于近日完成了新一代半导体碳化硅加工 ...碳化硅，跨入高速轨道-全球半导体观察
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2023年5月30日 单晶碳化硅具有超高硬度，其莫氏硬度高达 9.5，加工难度十分巨大。碳化硅具有极其稳定的化 学性质，在常温下不与 ... 为得到表面超光滑的碳化硅衬底晶片，用改造 后的设备对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验，得 到了表面粗糙度 ...2024年10月16日 碳化硅晶片的制备，从原料的合成到晶片的清洗封装，是一项复杂而精细的工程，是这一系列高科技应用的基础装。本文将用一篇文章给大家梳理清楚碳化硅晶片的加工工艺流程。 一、原料合成 碳化硅晶片的制备，始于高纯硅粉和高纯碳粉的精准配比。【MEMS工艺】一文理清碳化硅加工工艺流程 - 公司新闻 ...
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科友半导体现已正式步入产业化道路，现有长晶炉生产线1条，年产长晶炉200台，高纯石墨加工设备、高纯度碳化硅原料制备设备各一 套；6-8寸碳化硅晶体生产线1条，年产6-8寸碳化硅衬底10万片。 6英寸和8英寸产品对比 图源官微 科友半导体突破了8英寸SiC ...2021年12月16日 摘 要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性，传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 - 知乎
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2023年8月11日 自主研发的GC-SCDW8300型碳化硅金刚线切片机可同步满足6寸和8寸碳化硅晶片的切割需求；装载量最大300mm，能多锭同时切割 ... 加工设备的全覆盖，线切割机采用砂浆线的方式切割碳化硅，已实现小批量 销售， 2024年12月11日 针对碳化硅晶圆加工过程中，存在金属离子污染、亚表层损伤等关键技术问题，题进行详细探讨与分析。从设备、工艺、材料等方面，提出可能的解决方案。另外，张教授针对碳化硅加工技术未来发展给出以下5点建议：圆满落幕！碳化硅、金刚石衬底加工技术现状与趋势如何？12 ...
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2024年2月4日 碳化硅晶片的化学机械抛光技术（CMP）是一种先进的表面处理技术，结合化学腐蚀和机械研磨的方法，通过选择合适的化学腐蚀剂、研磨剂、控制抛光参数和采用精密抛光设备，实现对碳化硅晶片表面的精细处理，达到超光滑、无缺陷及无损伤表面的效果。2024年8月15日 ⑦碳化硅衬底作为莫氏硬度9.2的高硬度脆性材料，加工过程中存在易开裂问题，加工完成后的衬底易存在翘曲等质量问题；为了达到下游外延开盒即用的质量水平，需要对碳化硅衬底表面进行超精密加工，以降低表面粗糙度、表面平整度并达到严苛的金属、颗粒第三代半导体碳化硅衬底分类、技术指标、生长工艺、产业链 ...
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2024年11月14日 11月12日，天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设二期项目开工。该公司拟购置长晶及附属、晶体加工、晶片加工等工艺设备，新建6-8英寸碳化硅衬底生产线及研发中心，以及相关配套设施。2024年2月1日 经过 单晶生长 获得SiC晶碇后，紧接着就是 SiC 衬底的制备，通常需要历经磨平、滚圆、切割、研磨（减薄)、机械抛光、化学机械抛光、清洗、检测等众多工序。 这是由于 SiC 晶体硬度高、脆性大、化学性质稳定，受加工技术的制约，目前 SiC 衬底的加工损耗极高、效率极低，并且很难获得高表面 ...半导体碳化硅(SiC) 衬底加工技术进展详解； - 知乎专栏
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2023年5月17日 KABRA技术利用具有极好聚焦能力的光学系统将激光透过碳化硅的表面聚焦晶片内部，在特定位置形成改性层之后可从晶锭上剥离出晶片。 DISCO公司利用激光加工设备的易自动化的特性，还研发出能将激光改质、剥离、研磨步骤并行的KABRA!zen加工系统。2022年3月2日 2020 年 8 月 17，公司碳化硅衬底产业化基地建设项目正式开工，总投资约 9.5 亿元 人民币，总建筑面积 5.5 万平方米，将新建一条 400 台/套碳化硅单晶生长炉及其配 套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，计划于 2022 年年初完工投产，建成后 可年产碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 ...
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微米级激光精密加工，包括切割、钻孔、蚀刻、刻线、划片、材料去除、构造、雕刻和打标等服务，激光可应用于各种材料的加工：不锈钢，铝，铜，紫铜，钨，钼，钛，镍，铂等金属或超硬金属，及各种合金。氧化铝、氧化锆、氮化铝等陶瓷材料。硅、碳化硅，氮化镓等半导体材料。2022年10月9日 5 讨论 碳化硅晶片加工是单晶生长后的一大高难度工艺，国内相关单位现已能够加工出基本满足器件制备要求的衬底片，但晶片表面加工精度与国外相比仍然有较大差距，国外对相关理论和工艺都存在技术封锁，研究人员需 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 - 电子工程
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4 天之前 近日，南京大学成功研发出大尺寸碳化硅激光切片设备与技术，标志着我国在第三代半导体材料加工设备领域取得重要进展。不仅解决了碳化硅 切割 材料损耗率高的问题，还大大提升了产率。 来源：南京大学官网 SiC不仅是关 2022年1月20日 目前国际碳化硅晶片厂商主要提供4英寸至6英寸碳化硅晶片，Cree、II-VI等国际龙头企业已开始投资建设8英寸碳化硅晶片生产线。 扫码加入碳化硅交流群 活动推荐： 点击阅读原文加入碳化硅交流群 原文始发于微信公众号（艾邦陶瓷展）：一文看懂碳化硅晶片一文看懂碳化硅晶片加工及难点 - 艾邦半导体网
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2021年11月8日 加入碳化硅大佬群，请加VX：hangjiashuo666 据了解，乾晶半导体与 中国及日本 公司达成战略合作意向，可为国内外客户提供 4、6寸碳化硅晶棒及晶片。根据官网介绍，乾晶半导体成立于2020 年7月31日，是一家集 碳化硅单晶生长、晶片加工和设备 开发于2022年中报公司实现营收43.7亿，其中设备及服务营业收入35.7亿，占比81.7%，公司没有公布设备中来自光伏和半导体，以及碳化硅等领域的具体比例 ...下一个隆基绿能？晶盛机电，业绩持续逆天的光伏设备龙头
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2024年3月22日 天成半导体专注于SiC衬底材料研发、生产及晶体生长装备制造，现已完成6、8英寸SiC单晶衬底技术攻关，并掌握SiC生长装备制造、SiC粉料制备、导电型及高纯半绝缘SiC单晶衬底制备工艺，拥有SiC粉料制备、单晶生长、晶片加工等整套生产线，从 ...东莞市森烁科技有限公司 东莞市森烁科技有限公司自2010年成立以来，专注于半导体单晶硅材料及其制品研发、生产和销售，公司拥有先进的具备自主知识产权的核心技术和工艺，配备优良的生产、检测设备和管理系统，为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从调试级硅片（Dummy Wafer）,测试 ...东莞森烁科技有限公司_东莞单晶硅片_广东单晶硅_氧化硅片 ...
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2022年4月2日 通过上一篇文章我们知道，碳化硅晶体具有高硬、高脆、耐磨性好、化学性质极其稳定的特点，这使得碳化硅晶片加工变得非常困难。 今天的文章我们主要讲碳化硅晶片的加工。 碳化硅晶片的超精密加工，按照其加工顺序，主要经历以下几个过程：切割、研磨、粗抛和超精密抛光四个步骤。3 天之前 碳化硅产业链包含碳化硅粉末、碳化硅晶锭、碳化硅衬底、碳化硅外延、碳化硅晶圆、碳化硅芯片 ... 产业链很长，为了促进行业交流和发展，艾邦新建碳化硅功率半导体产业链微信群，欢迎碳化硅前道材料与加工设备 ，后道器件生产和模块封装 ...碳化硅晶圆应力检测设备介绍 - 艾邦半导体网
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